شرکت در آزمون آنلاین فیزیک 2 (رشته تجربی) - فصل اول : الکتریسیته ساکن

شکل مقابل، کلیدی از صفحه کلید رایانه را نشان می‌دهد. فاصله بین صفحات فلزی $۲/۴mm$ بوده و در اثر فشار، حداکثر به $\frac{۱}{۳}$ فاصله اولیه کاهش می یابد. مساحت صفحات $۰/۶c{{m}^{۲}}$ بوده و فاصله بین صفحات با دی الکتریک منعطفی به ثابت $k$ پر شده است. $k$ چقدر باشد تا با فشار دادن کلید، ظرفیت خازن حداکثر $۱/۸$ پیکوفاراد تغییر کند؟ (${{\varepsilon }_{۰}}=۹\times {{۱۰}^{-۱۲}}\frac{{{C}^{۲}}}{N.{{m}^{۲}}}$)

$۸$

$۲۰$

$۴$

$۴۰$

در یک محیط ، فقط دو بار الکتریکی نقطه‌ای

q_{١}

q_{۲}

وجود دارند و

q_{۲} = ۲ q_{١}

است. در این صورت می‌توان گفت:

اندازه نیروی الکتریکی وارد بر

q_{١}

دو برابر اندازه نیروی وارد بر

q_{۲}

است.

بزرگی میدان الکتریکی که بر

q_{١}

اثر می‌کند، نصف بزرگی میدانی است که بر

q_{۲}

اثر می‌کند.

اندازه نیرویی که بر بار

q_{١}

وارد می‌شود، نصف اندازه نیرویی است که بر بار

q_{۲}

وارد می‌شود.

بزرگی میدان الکتریکی که بر

q_{١}

اثر می‌کند، دو برابر بزرگی میدانی است که بر

q_{۲}

اثر می‌کند.

خازنی به یک باتری که ولتاژ آن قابل تنظیم است، متصل است. اگر ولتاژ دو سر خازن از

۲۰ V

به

١۵ V

برسد، انرژی ذخیره شده در آن چند برابر می‌شود؟

\frac{۳}{۴}

\frac{۲}{۳}

\frac{۹}{١۶}

\frac{۳}{١۶}

بین دو صفحه‌ی رسانای موازی که به فاصله‌ی

۲cm

از هم قرار دارند، اختلاف پتانسیل الکتریکی

۵۰۰V

ایجاد کرده‌ایم. اگر الکترونی بین این دو صفحه‌ قرار گیرد، بزرگی نیروی الکتریکی وارد بر ان چند نیوتون خواهد بود؟

(

e = ١⁄۶ \times {١۰}^{- ١۹} C

)

۸ \times {١۰}^{- ١۳}

۸ \times {١۰}^{- ١۵}

۴ \times {١۰}^{- ١۳}

۴ \times {١۰}^{- ١۵}

از آزمایش مایکل فارادی، کدام نتیجه‌ی زیر گرفته شد؟

بار اضافی داده شده به یک جسم رسانا روی سطح خارجی آن توزیع می‌شود.

بار اضافی داده شده به یک جسم رسانا در حجم جسم به طور همگن توزیع می‌شود.

بار اضافی داده شده به یک جسم رسانا در نزدیکی سطح تماس قرار می‌گیرد.

بار اضافی داده شده به یک جسم رسانا در مرکز جسم متمرکز می‌شود.

شرکت در آزمون آنلاین فیزیک 2 (رشته تجربی) - فصل اول : الکتریسیته ساکن | آزمون شماره 6873

جست و جو

شرکت در آزمون آنلاین فیزیک 2 (رشته تجربی) - فصل اول : الکتریسیته ساکن | آزمون شماره 6873

جست و جو

ساخت آزمون

ساخت آزمون